为何精心选择的退耦电容在高频段反而失效？
在电路设计中，退耦电容常被视为抑制电源噪声的“标配元件”。但许多工程师发现，即使按常规方法选型，高频电磁干扰（EMI）问题仍频繁出现。这种矛盾现象的背后，隐藏着对电容高频特性的认知盲区。
传统理论关注电容的标称容值，却忽略了其等效串联电感（ESL）和寄生电阻（ESR）在高频段的主导作用。研究表明，当频率超过电容自谐振点时，其阻抗特性会由容性转为感性（来源：IPC, 2022）。
高频失效的三大诱因
- 引线布局不当：过长的引脚或走线会显著增加寄生电感
- 介质材料差异：不同介质类型的电容高频响应特性差异可达数十倍
- 并联谐振效应：多电容并联时可能产生意外的谐振峰
