深圳市唯电电子现货库存供应infineon英飞凌FF200R12KT3 ，欢迎来电询价
FF200R12KT3
1200 V 双 IGBT 模块
半桥 62mm 1200V 200 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代快速 TRENCHSTOP™ IGBT 和发射极控制高效二极管，是您设计工作的不二之选。还可提供采用共发射极的型号FF200R12KT3_E
指标参数
Parametrics
FF200R12KT3
Configuration Dual
Dimensions (length) 106.4 mm
Dimensions (width) 61.4 mm
Housing 62 mm
IC(nom) / IF(nom) 200.0 A
IC max 200.0 A
Qualification Industrial
Technology IGBT3 – T3
VCE(sat) (Tvj=25°C typ) 1.7 V
VF (Tvj=25°C typ) 1.65 V
Voltage Class 1200.0 V
特征描述
•变频驱动的出色解决方案
•通过 UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证
•工作温度范围高达 125 °C （最高150 °C)
•优化开关特性，例如，柔度和降低开关损耗
•具有更高电流能力的现有封装
•符合 RoHS
优势
•灵活性
•出色的电气性能
•高可靠性
潜在应用
•电机控制和驱动
•太阳能系统解决方案
•商用、工程和农用车辆(CAV)
•不间断电源(UPS)
工业加热和焊接
