·工作在2.45GHz ISM 频段
·具有超低功耗自动发射功能
·具有防拆卸报警功能
·内置3KHz RCOSC 和硬件Watchdog
·调制方式：GFSK
·超低关断电流：700nA
·快速启动时间： ≤ 130uS
·宽数字I/O 电压范围:1.9-5.25V
·最高发射功率：12dBm
·最高10MHz 四线SPI 接口
·QFN20 封装
·内置DES 加密
应用范围 ·超低功耗有源RFID 系统
·电动自行车防盗系统
·智能停车场管理系统
芯片采用标准的四线SPI 接口，最高读写速度为10Mb/S。外部微控制器可以通过SPI 接口对芯片进行配置，包括读写功能寄存器、读写FIFO、读芯片状态、清除中断等。
5.1 SPI 命令
SPI 命令参见表6-1。CSN 从高电平翻转为低电平，SPI 接口开始工作。每一次SPI
出为高阻态)。命令格式中命令字按从MSBit 到LSBit 的顺序输入，数据格式中按从
LSByte 到MSByte 的顺序，每字节中按从MSBit 到LSBit 的顺序输入。详细请参考SPI
其它命令。AUTX_ON 命令执行前，CSN 必须先拉低再拉高（低电平脉冲），再拉低执
Si24R2F 是一颗工作在2.45GHz ISM 频段，专为低功耗有源RFID 应用场合设计，集成嵌入式2.45GHz 无线射频发射器模块、64 次可编程NVM 存储器模块以及自动发射控制器模块等。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126 个1MHz 带宽的信道。内部集成高PSRR 的LDO 电源，保证1.9-3.6V 宽电源范围内稳定工作。Si24R2F 采用GFSK 数字调制与解调技术。数据传输速率可配置，支持2Mbps、1Mbps 和250Kbps 三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成同样的数据收发，因此可以具有更低的功耗。芯片输出功率可调节，根据实际应用场合配置相应适合的输出功率，节省系统的功耗。Si24R2F 针对低功耗应用场合进行了特别优化，在关断模式下，所有寄存器值与FIFO 值保持不变，关断电流为700nA；在待机模式下，时钟保持工作，工作电流为20uA，并且可以在最长130uS 时间内开始数据的发射。Si24R2F 开启自动发射功能，内部Watchdog 与内部RCOSC 时钟工作，内部Timer计时器开始计时，芯片工作在睡眠状态下，此时待机电流仅为700nA。当内部Timer 计时器计满，自动发射控制器自动完成数据从NVM 存储器的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态。Si24R2F 的平均功耗非常低，特别适合纽扣电池供电的应用系统。Si24R2F 操作方便，不需要外部MCU，即可以自动完成数据的装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10 年以上。在3.3V 供电电压下，无需外部高压，外部MCU 可以通过芯片的四线SPI 接口完 成NVM 的配置编程，芯片最大可编程次数为64 次，芯片支持NMV 加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。Si24R2F 具有非常低的系统应用成本，不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个有源RFID 无线数据发射系统。
封装图
结构框图
主要特性
·工作在2.45GHz ISM 频段
·内置64 次可编程NVM 存储器
·具有超低功耗自动发射功能
·具有低电压自动报警功能
·具有防拆卸报警功能
·集成防冲突通信机制
·内置3KHz RCOSC 和硬件Watchdog
·3.3V 编程电压
·调制方式：GFSK
·数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps
·超低关断电流：700nA
·超低待机电流：20uA
·快速启动时间： ≤ 130uS
·宽电源电压范围：1.9-3.6V
·宽数字I/O 电压范围:1.9-5.25V
·低成本晶振：16MHz±60ppm
·最高发射功率：12dBm
·发射电流(2Mbps): 16.8mA（0dBm)
·最高10MHz 四线SPI 接口
·发射数据硬件中断输出
·QFN20 封装
·内置DES 加密
应用范围
·超低功耗有源RFID 系统
·智慧校园卡管理系统
·电动自行车防盗系统
·固定资产监管系统
·智能停车场管理系统
SPI 数据与控制接口
芯片采用标准的四线SPI 接口，最高读写速度为10Mb/S。外部微控制器可以通过 SPI 接口对芯片进行配置，包括读写功能寄存器、读写FIFO、读芯片状态、清除中断等。
5.1 SPI 命令
SPI 命令参见表6-1。CSN 从高电平翻转为低电平，SPI 接口开始工作。每一次SPI
操作，MISO 输出的第一字节为状态寄存器的值，之后通过命令来确定是否输出值(不输出为高阻态)。命令格式中命令字按从MSBit 到LSBit 的顺序输入，数据格式中按从
LSByte 到MSByte 的顺序，每字节中按从MSBit 到LSBit 的顺序输入。详细请参考SPI
时序。
注意：当ATR 功能打开时，必须先执行AUTX_ON 命令关闭ATR 功能后才能执行
其它命令。AUTX_ON 命令执行前，CSN 必须先拉低再拉高（低电平脉冲），再拉低执
行AUTX_ON 命令。
另外SI24R2F与SI24R2E性能对比
R2F:
内置64次可编程NVM存储器
睡眠电流：500nA
最高发射功率：12dBm
发射电流：16.8mA
R2E:
内置128次可编程NVM存储器
睡眠电流：700mA
最高发射功率：7dBm
发射电流：13.5mA
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